В России разработали технологию создания транзисторов из дисульфида молибдена
Специалисты МФТИ разработали технологию производства транзисторов для чипов на основе дисульфида молибдена. Разработку можно использовать на существующих предприятиях микроэлектроники, что делает ее потенциальной альтернативой кремниевым решениям, пишут «Известия». По словам научного сотрудника Центра фотоники и двумерных материалов МФТИ Ильи Завидовского, новый материал позволяет создавать транзисторы размером примерно 0,65 нанометра вместо ограничений кремния около 2 нанометров.