Компания Samsung анонсировала память следующего поколения V10 BV-NAND с 400 слоями
Компания Samsung показала решения в области памяти для систем искусственного интеллекта на выставочном мероприятии Future of Memory and Storage 2026 в Санта-Кларе 5 августа 2026 года. Представители подразделения компании изложили стратегию развития 3D-структур в микросхемах хранения данных. В число ключевых анонсов вошли концептуальные модели zHBM и zNAND-O, архитектура V10 BV-NAND с более чем 400 слоями,