Компания Infineon первой в мире смогла получить функциональные силовые чипы из карбида кремния (SiC), изготовленные на 300-миллиметровых пластинах. Разработку уже опробовали в условиях полноценного производства на заводе в австрийском Филлахе. При этом для нового процесса удалось использовать оборудование, которое изначально предназначалось для выпуска обычных кремниевых чипов. Telegram-канал создателя Трешбокса про технологии
Переход на пластины увеличенного диаметра позволит заметно повысить эффективность производства. По данным Infineon, с одной 300-миллиметровой пластины можно получать в 2,3 раза больше чипов, чем с нынешней 200-миллиметровой. Это должно помочь компании нарастить выпуск силовых полупроводников и обеспечить более стабильные поставки для автомобильной промышленности, энергетики и центров обработки данных с искусственным интеллектом.
Карбид кремния востребован благодаря низким потерям энергии и способности работать при высоких напряжениях и температурах. Такие чипы применяются в электромобилях, зарядных станциях, системах хранения энергии и промышленном оборудовании. В последнее время дополнительным источником спроса становятся дата-центры для ИИ.
Ещё одним достижением Infineon стала проверка технологии Cold Split на 300-миллиметровых пластинах SiC. Она позволяет отделять пластины от кристалла с меньшими потерями материала и получать больше заготовок из одного слитка. Компания пока не называет сроки перехода на массовое производство новой технологии и намерена согласовывать их с партнёрами и заказчиками. При этом Infineon продолжит развивать выпуск чипов на 200-миллиметровых пластинах.
Источник: trashbox.ru