Совместное предприятие Tesla и SpaceX под названием Terafab раскрыло детали масштабного расширения собственных полупроводниковых мощностей.
Делегация компании посетила Японию для проведения переговоров с поставщиками оборудования. Производственная цель проекта предусматривает выпуск 1,00 миллиона кремниевых пластин в месяц начиная с 2032 года. Основная доля — около 700,000 пластин — будет приходиться на чипы памяти DRAM и NAND, что сопоставимо со всем нынешним объемом производства DRAM компанией Samsung, а остальные 300,000 пластин — на логические микросхемы.
Общие инвестиции в строительство комплекса в Техасе могут достигнуть 119,00 миллиардов долларов США. Партнером по разработке логических чипов по техпроцессам класса 2 нм и 1,4 нм выступает Intel, в то время как технологический партнер для направления DRAM пока официально не назван. Первые тестовые чипы SRAM планируется выпустить в середине 2027 года, а полноценное массовое производство стартует в 2028 году.
Вся изготавливаемая продукция в первую очередь будет направляться на собственные нужды компаний Илона Маска для оснащения центров обработки данных, роботов и электромобилей.
Павлик Александр
Источник: ru.gecid.com