NVIDIA решила изменить привычную схему производства высокоскоростной памяти для своих будущих ускорителей искусственного интеллекта. По данным отраслевых источников, компания попросила Samsung, Micron и SK hynix использовать единый техпроцесс TSMC при изготовлении базового кристалла NVHBM. Такой подход должен упростить контроль качества и обеспечить более стабильные характеристики готовых модулей.
Речь идет о базовом кристалле, который планируют производить по 3-нм техпроцессу TSMC. При этом сами микросхемы DRAM будут использовать технологию шестого поколения 1c. NVIDIA рассчитывает, что собственная память сможет обеспечить до 30% больше пропускной способности по сравнению со стандартной HBM4E при снижении энергопотребления на 15%. Единая производственная база избавит компанию от необходимости отдельно проверять образцы каждого поставщика.
Samsung, по сообщениям инсайдеров, согласилась на необычное сотрудничество, хотя традиционно предпочитала самостоятельно выпускать и базовые, и основные кристаллы HBM. Корейская компания при этом продолжает оценивать возможность задействовать собственное производство, если мощностей TSMC окажется недостаточно. Micron и SK hynix также должны присоединиться к общей схеме.
Позднее появилась информация, что NVIDIA якобы попросила TSMC заняться и производством 3D DRAM. Однако тайваньская компания опровергла планы массового выпуска такой памяти, заявив, что сосредоточится на логических чипах. Таким образом, сотрудничество вокруг NVHBM пока остается предметом отраслевых сообщений, а окончательная производственная схема еще может измениться.
Источник: www.goha.ru