Российские физики из ФИАН разработали способ создания практически идеальной границы между ферромагнетиком и антиферромагнетиком. Эта технология может помочь в разработке более быстрых и энергоэффективных устройств для хранения и обработки данных. Telegram-канал создателя Трешбокса про технологии
Учёные сформировали ферромагнитный слой непосредственно на поверхности слоистого антиферромагнитного кристалла. Полученная структура практически не содержит дефектов, которые обычно мешают стабильной работе подобных материалов. Разработка позволяет объединить преимущества двух типов магнетиков, что особенно важно для создания компактных спинтронных устройств. Они используют не только электрический заряд электрона, но и его спин — квантовое свойство, связанное с магнитными характеристиками частицы.
По словам академика Владимира Пудалова, руководителя Центра высокотемпературной сверхпроводимости и квантовых материалов им. В. Л. Гинзбурга ФИАН, результаты открывают перспективы для создания быстрых и стабильных устройств с магнитным упорядочением на наноуровне. В частности, технология может найти применение в системах хранения больших объёмов информации и высокоскоростной обработки данных.
Ферромагнетики способны сохранять намагниченность даже после отключения внешнего магнитного поля. У антиферромагнетиков соседние атомы имеют противоположно направленные магнитные моменты, которые взаимно компенсируются. Объединение этих свойств в одной структуре позволяет получить материал с характеристиками, недоступными каждому из них по отдельности.
Источник: trashbox.ru