Китайский производитель памяти CXMT сообщил о запуске массового выпуска микросхем на платформе пятого поколения. Она предназначена для памяти DRAM с более высокой плотностью размещения данных, сниженным энергопотреблением и стоимостью производства.
Расстояние между ключевыми элементами области хранения данных уменьшили до 11,95 нм. Для этого компания применила технологию четверного паттернинга. По данным CXMT, новая платформа позволяет получать минимум на 50% больше кристаллов с одной кремниевой пластины по сравнению с четвертым поколением при базовом варианте 8 Гбит.
Компания также начала массовый выпуск двух микросхем LPDDR5X объемом 24 Гбит. Они вмещают на 50% больше данных, чем предыдущие аналогичные продукты CXMT, и выпускаются в двух вариантах корпуса. Разработку проводили с использованием компьютерного моделирования и совместно с китайскими производителями оборудования.
Источник: www.ferra.ru