Китайский производитель памяти CXMT внедрил технологию High-k Metal Gate (HKMG) в транзисторы своей DRAM-памяти, заменив диэлектрик из диоксида кремния на материал на основе оксида гафния.
Нововведение применено в техпроцессе G4 (класс 1z nm) и чипах LPDDR5X для предотвращения утечек тока и повышения энергоэффективности, что устраняет главное техническое ограничение для перехода к более продвинутой норме 1a и последующей разработки 15-нм технологии G5. Одновременно компания находится на стадии рискового производства памяти HBM2E по 18-нм техпроцессу G3.
Параллельно CXMT масштабирует объемы выпуска кремниевых пластин: к концу текущего года объем производства вырастет до 300 тысяч пластин в месяц, а строительство новых фабрик в Шанхае и Хефэе позволит увеличить показатель до 600 тысяч. Согласно долгосрочному плану расширения, к 2031 году совокупная мощность компании должна достигнуть 800 тысяч пластин в месяц.
wccftech.com
Павлик Александр
Источник: ru.gecid.com