TrendForce опубликовала прогноз развития рынка памяти на 2027 год. По мнению аналитиков, технологии искусственного интеллекта сохранят высокий спрос на чипы, однако для сегментов DRAM и NAND Flash траектории развития окажутся разными: первый останется дефицитным, а второй приблизится к профициту.
Для DRAM TrendForce ожидает сохранения ограниченных поставок и дальнейшего роста цен. В 2026 году разрыв между спросом и предложением аналитики оценивают примерно в диапазоне от -1% до -2%, поэтому заметного облегчения участники рынка пока не ждут. Ситуация не изменится быстро и в 2027 году: эффект от ввода новых мощностей DRAM проявится лишь во второй половине года, а ощутимый вклад от них рынок увидит только в 2028-м.
Отдельно аналитики обращают внимание на сегмент HBM. Производство такой памяти требует значительно больше кремниевых пластин, чем выпуск обычной DRAM, из-за чего рост объёмов обрабатываемых пластин не приводит к пропорциональному увеличению битового выпуска. Дополнительный спрос, по мнению TrendForce, поддержат капитальные расходы североамериканских поставщиков облачных услуг (CSP), новые процессорные платформы Intel и AMD, а также коммерциализация систем Agentic AI.
Еще один важный фактор — увеличение объема HBM в расчете на один ИИ-сервер и внедрение новых стандартов памяти вроде SOCAMM. Это повышает емкость подсистемы памяти в каждом сервере и подталкивает спрос вверх. В то же время сегмент потребительской электроники, включая смартфоны и ноутбуки, останется под давлением из-за роста цен на комплектующие.
На рынке NAND Flash наблюдается обратная картина. TrendForce ожидает перехода к избыточному предложению уже в 2027 году, а во второй половине года — возможного выхода на баланс. В 2026 году поставщики наращивали битовый выпуск в основном за счет перехода на более прогрессивные техпроцессы, а в 2027-м предложение вырастет благодаря переходу на многослойную продукцию и постепенному запуску новых фабрик. Главным драйвером спроса при этом останутся корпоративные SSD, особенно на базе памяти QLC.
Ранее тестирование показало, насколько память DDR5 EXPO ULL ускоряет современные Ryzen.
Как думаете, сможет ли ИИ и дальше одновременно удерживать DRAM в дефиците и приближать NAND к избытку?
НовостиЖелезо и технологииАналитика и статистика
Источник: vgtimes.ru