По мере того как космические миссии удаляются от Земли, способность космических аппаратов самостоятельно обрабатывать и хранить данные становится все более важной. Особенно это актуально для систем с искусственным интеллектом, генерирующих огромные объемы информации.
Сегодня для хранения массивов данных в космосе используется NAND flash-память — та же технология, что и в ноутбуках, смартфонах и дата-центрах, способная хранить терабиты информации. Проблема в том, что космическая радиация разрушает электрический заряд, в котором традиционная флеш-память хранит данные.
«Если отправить традиционную флеш-память в космос, радиация, взаимодействуя с захваченным электрическим зарядом, легко повредит данные», — объясняет Асиф Хан, доцент Школы электротехники и компьютерной инженерии Технологического института Джорджии.
Хан и его коллеги разработали принципиально новый тип NAND-памяти на основе ферроэлектрических материалов. Ферроэлектричество — это способность некоторых материалов удерживать постоянный, спонтанный электрический заряд — так называемую поляризацию. В отличие от обычной памяти, ферроэлектрическая NAND хранит данные не в виде захваченного электрического заряда, а в виде поляризации материала.
«Поляризация очень устойчива к радиационным эффектам», — отмечает Хан. Результаты, опубликованные в журнале Nano Letters, показали, что новая память выдерживает уровни радиации в 30 раз выше, чем традиционная NAND-технология.
Соавтор разработки, аспирант Лэнс Фернандес изготовил чипы ферроэлектрической памяти в чистой комнате Технологического института Джорджии, после чего отправил их для радиационных испытаний коллегам из Университета Пенсильвании. Тесты показали поразительный результат: технология выдерживает облучение до одного миллиона рад — это эквивалент 100 миллионов рентгеновских снимков.
Источник: hi-tech.mail.ru