Samsung преодолела барьер 10 нм в DRAM благодаря новой структуре 4F‑ cell
Samsung преодолела барьер 10 нм в производстве DRAM, представив новую структуру 4F‑ cell, которая увеличивает плотность ячеек на 30–50% и открывает путь к массовому выпуску суб‑ 10 нм памяти уже в 2028 году. Это первый в мире рабочий кристалл DRAM на уровне 9,5–9,7 нм. Samsung применила комбинацию новой квадратной структуры 4F и процесса Vertical Channel