Тайваньская TSMC изучает возможность начать выпуск передовых микросхем памяти 3D DRAM. По данным The Information, разработку этого направления компания начала по запросу Nvidia, своего крупнейшего заказчика.
В отличие от традиционной памяти, в архитектуре 3D DRAM ячейки размещаются вертикальными слоями. Такой подход позволяет увеличить емкость микросхем. DRAM используется для временного хранения данных в электронных устройствах.
TSMC рассматривает два варианта: строительство новых заводов или покупку действующего предприятия с последующей переоборудованием под выпуск памяти. Сроки возможного запуска производства пока не определены. Работу курирует вице-президент компании Сюй Го-чин, отвечающий за передовые технологии производства чипов.
Выход на этот рынок потребует конкуренции с Samsung, SK Hynix и Micron. Интерес к производству связан с дефицитом памяти на фоне роста спроса со стороны индустрии искусственного интеллекта.
Источник: www.ferra.ru