Руководство Intel считает, что компания уже близка к TSMC по уровню технологических разработок, а отставание в нескольких процентах производительности не критично. Гораздо сложнее нарастить объёмы выпуска чипов и обеспечить стабильный выход годных кристаллов — именно здесь американскому производителю предстоит долгая работа.
Технический директор Intel Пушкар Ранаде заявил в подкасте Dwarkesh, что тайваньская TSMC сегодня значительно превосходит компанию по масштабам производства пластин. По его словам, сокращение этого разрыва будет постепенным процессом. При этом небольшая разница в производительности, энергопотреблении или плотности размещения транзисторов не так важна, как своевременный запуск техпроцесса, высокий выход годных чипов и возможность быстро увеличивать объёмы производства.
Вице-президент Intel Крис От отметил преимущества технологии High NA EUV для будущего техпроцесса 14A. Компания использует подачу питания с обратной стороны кремниевой пластины, освобождая место для вычислительных элементов на лицевой стороне. По словам Отта, это позволяет применять High NA EUV без дополнительного разделения литографического рисунка на несколько этапов, которое, как утверждает представитель Intel, необходимо TSMC из-за более жёстких требований к шагу размещения элементов. Возможность использовать 14A уже предусмотрена в PDK, а обсуждение технологии с заказчиками ведётся индивидуально.
Впрочем, преимущество на бумаге ещё предстоит подтвердить массовым производством. Intel делает ставку на 14A, тогда как TSMC, согласно приведённым в публикации сообщениям отраслевых источников, ускоряет подготовку своего следующего поколения техпроцессов. Дополнительные сложности ждут индустрию и при вертикальном размещении транзисторов: соединять их становится труднее, а при заполнении узких каналов могут образовываться пустоты и дефекты.
Источник: www.goha.ru