Micron раскрыла новые детали собственной дорожной карты развития энергонезависимой памяти, представив поколение 3D NAND G11.
Производитель решил полностью пропустить номинальную серию G10, перейдя от нынешней G9 сразу к одиннадцатой итерации. Такой шаг обусловлен радикальной сменой архитектуры и существенным скачком в технологическом процессе изготовления чипов.
Ключевым изменением стало увеличение количества вертикальных слоев: если в чипах G9, в частности в SSD Crucial P510, использовалось 276 слоев, то в G11 их количество превышает 400. В сочетании с уменьшением шага ячеек это позволяет примерно удвоить плотность записи данных на квадратный миллиметр кремния по сравнению с предыдущими показателями TLC-памяти — около 21 Гбит/мм².
С поколения G11 Micron также переходит на технологию компоновки wafer-on-wafer, известную как Direct X3D. Она предусматривает изготовление массива ячеек памяти и периферийной логики ввода-вывода на двух отдельных кремниевых пластинах, которые затем соединяются на молекулярном уровне. Это освобождает полезную площадь под кристаллом и существенно улучшает быстродействие.
Скорость внешнего интерфейса новых чипов выросла на 50% по сравнению с G9 — от 3,6 Гбит/с до примерно 5,4 Гбит/с на канал. При этом удельное энергопотребление при передаче каждого бита информации удалось уменьшить более чем на 25%. Начало массового выпуска пластин 3D NAND G11 запланировано на вторую половину 2027 года, а первые потребительские SSD на ее основе появятся позже.
guru3d.com
Павлик Александр
Источник: ru.gecid.com