Micron Technology приняла стратегическое решение отказаться от коммерческого внедрения ячеек памяти типа 4F² DRAM, несмотря на то что заявляет об авторстве этого дизайна и более чем двадцати годах исследований в данном направлении.
Об этом сообщил президент и главный технический директор Micron Скотт ДеБур во время технологического вебинара компании. Конструкция 4F² на бумаге использует вертикальные канальные транзисторы, что позволяет сократить площадь каждой ячейки примерно на треть по сравнению со стандартной компоновкой 6F², которая сегодня массово применяется в производстве DRAM.
Однако в Micron пришли к выводу, что реальная плотность памяти в таких чипах ограничивается не площадью самой ячейки, а возможностью плотного размещения конденсаторов, из-за чего преимущество 4F² над 6F² оказывается существенно меньше ожидаемого. Более того, этот подход сопровождается ростом производственных затрат и технической сложности, сталкиваясь с фундаментальными ограничениями масштабирования на передовых техпроцессах. В результате компания решила сосредоточиться на развитии традиционной архитектуры 6F² с последующим переходом на многослойную память 3D DRAM.
Такой шаг заметно отличает Micron от главных конкурентов на рынке. Samsung и SK hynix продолжают активную разработку 4F²-дизайнов, а китайский производитель CXMT планирует выпустить первые серийные серверные модули DDR5 RDIMM на базе 4F² уже до конца текущего года. Тем временем Micron планирует и дальше совершенствовать 6F², готовя новые производственные узлы к запуску в ближайшие годы, параллельно разрабатывая 3D DRAM в качестве долгосрочной альтернативы, хотя точных сроков ее массового выхода на рынок компания пока не называет.
Павлик Александр
Источник: ru.gecid.com