Samsung Electronics и SK Hynix подтвердили, что модернизируют свои заводы в Китае для выпуска более многослойной NAND-памяти. Обе компании заявили, что работы ведутся в тесных консультациях с Вашингтоном. Конкретные параметры — число слоёв, объёмы производства и сроки — компании публично не раскрыли. Эти детали стали известны Reuters от анонимных источников.
По данным источников Reuters, Samsung планирует перевести завод в Сиане на производство 286-слойной памяти V9 NAND. Сейчас площадка выпускает чипы примерно с 200 слоями и даёт около 40% мирового объёма NAND Samsung. Цель — 5000 кремниевых пластин в месяц к декабрю 2026 года и 40 000 пластин к декабрю 2027 года.
SK Hynix, как сообщают три источника, намерена перевести завод в Даляне с нынешних 192 слоёв на продукцию с 240 и более слоями. Компания также может запросить у США разрешение на исследовательские работы с чипами свыше 300 слоёв на этой площадке. Официально SK Hynix эти планы не подтвердила.
Обе компании обязаны ежегодно получать лицензии США на установку американского оборудования на китайских заводах. В 2025 году американские власти заявили, что не намерены одобрять лицензии на технологическую модернизацию или расширение мощностей на существующих площадках, сообщает Yahoo SG со ссылкой на Reuters. При этом Reuters не смог установить, в каком объёме лицензии всё же были выданы для текущих работ.
Samsung в комментарии СМИ заявила, что модернизация соответствует экспортным правилам США, а её цель — удовлетворение спроса глобальных клиентов, включая американских. Компания подчеркнула, что не расширяет мощности и не строит новые объекты. SK Hynix ограничилась подтверждением консультаций с Вашингтоном.
Контекст для модернизации — давление со стороны китайской YMTC. По данным Omdia, во втором квартале YMTC заняла 38,5% китайского рынка NAND, обойдя Samsung с 33,5%. Доля SK Hynix снизилась с 20% до 17%. YMTC уже выпускает в основном 160- и 232-слойные чипы и работает над продукцией свыше 300 слоёв.
Источник: trashbox.ru