По данным южнокорейских источников, внутренние тесты Samsung показали, что флагманский чип Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 склонен к перегреву, из-за чего стабильная производительность заметно снижается. Официальных результатов тестов опубликовано не было, но скандал быстро набрал обороты.
Дон Макгуайр, главный маркетолог Qualcomm, отреагировал на обвинения в X, заявив, что «это на 100% НЕ соответствует действительности». По его словам, у устройств на Snapdragon 8 Elite Gen 6 нет системных проблем с перегревом, а баланс между производительностью и энергопотреблением соблюдён.
Однако в своём сообщении он упомянул только стандартный Snapdragon 8 Elite Gen 6, а не флагманский Extreme Gen 6. Это может быть случайностью, а может и намеренным уточнением — но факт остаётся фактом: название чипа, вокруг которого разгорелся спор, в твите не фигурирует.
Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 производится по 2-нм техпроцессу TSMC и может разгоняться до 5,00 ГГц при повышенном лимите энергопотребления. Для стабильной работы Qualcomm внедрила технологию упаковки Offset PoP: радиатор располагается над кристаллом DRAM, немного отходя от кремния, а не непосредственно на нём. В одном из предыдущих тестов эталонный смартфон достигал максимального температурного порога за 15 минут — более чем вдвое дольше, чем устройства на Snapdragon 8 Elite Gen 5.
Ранее отмечалось, что обвинения могли исходить из южнокорейского издания и быть частью кампании по созданию позитивного имиджа Samsung и её процессора Exynos 2700, анонс которого ожидается до конца 2026 года. В такой ситуации дискредитация конкурента от Qualcomm была бы выгодна Samsung.
Журналисты уже обратились к Дону Макгуайру с уточняющим вопросом: имеет ли он в виду Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 или обычный Snapdragon 8 Elite Gen 6. Ответа пока нет. Ситуация остаётся не до конца прояснённой — и это оставляет пространство для дальнейших спекуляций.
Источник: www.playground.ru