Китайский производитель памяти CXMT заявил о намерении опередить Samsung, SK hynix и Micron благодаря новой архитектуре DRAM с плотностью размещения ячеек 4F². Однако аналитики Rosenblatt считают эти амбиции скорее громким заявлением, чем реальной угрозой лидерам рынка. В Bank of America также полагают, что выбор такой архитектуры во многом обусловлен американскими санкциями, ограничивающими доступ Китая к передовому оборудованию.
О планах компании рассказал её президент Цао Канью на конференции Integrated Chip and Chiplet Conference в Шанхае. Технология 4F² позволяет уменьшить площадь ячейки памяти за счёт вертикального расположения транзисторов и других компонентов. Теоретически это может повысить плотность хранения данных, снизить энергопотребление и улучшить характеристики чипов по сравнению с традиционной архитектурой 6F², которая используется в современной памяти DDR4, DDR5 и HBM.
Однако сама по себе архитектура 4F² не гарантирует технологического превосходства. Для достижения высокой плотности памяти важен и производственный процесс. По оценке Bank of America, из-за отсутствия доступа к литографическим установкам EUV компании CXMT приходится искать альтернативные способы уменьшения размеров ячеек. В частности, она может использовать вертикальную компоновку, продолжая выпускать чипы на более старом оборудовании DUV.
Крупнейшие производители памяти изучают архитектуру 4F² уже более десяти лет, но пока не перешли к массовому производству из-за высокой стоимости, низкого выхода годных чипов и сложностей с сертификацией у заказчиков. Дополнительную проблему создаёт плотная компоновка транзисторов и конденсаторов, из-за которой структура ячеек становится более хрупкой.
По данным Rosenblatt, лидеры рынка уже используют шестое поколение техпроцессов класса 10 нм, тогда как CXMT рассчитывает выпускать память 4F² с применением технологии 15 нм. Аналитики считают, что на таком уровне производства новая архитектура не обязательно обеспечит преимущество по себестоимости. Поэтому заявления об опережении конкурентов на два года они оценивают скептически.
Тем не менее Bank of America допускает, что CXMT может стать серьёзным конкурентом, если сумеет наладить массовый выпуск новой памяти в 2027–2028 годах, а Samsung, SK hynix и Micron продолжат полагаться на архитектуру 6F². Дополнительным фактором может стать развитие оборудования китайской компании Naura, которая демонстрирует технологии, потенциально позволяющие производить память с вертикальным расположением компонентов.
Пока планы CXMT остаются заявленными намерениями, а не доказанным технологическим прорывом. Реальное влияние компании на рынок будет зависеть от того, сможет ли она обеспечить стабильный массовый выпуск чипов и добиться конкурентоспособной себестоимости.
Источник: www.playground.ru