В пресс-службе Института физики полупроводников (ИФП) СО РАН сообщили, что ученые разработали способ стабилизации тонких пленок диоксида гафния для использования в электронике. Улучшенные пленки получили при чередовании слоев диоксида гафния и оксида алюминия в соотношении 15:1. Материал выращивали методом атомно-слоевого осаждения в Курчатовском институте.
Исследования показали, что нужная фаза сохраняется при температуре до 900 градусов Цельсия. При нагреве выше 800 градусов кремний начинает забирать кислород из диоксида гафния, из-за чего его свойства ухудшаются. Поэтому ученые предлагают ограничить нагрев 750 градусами и использовать тонкий барьерный слой.
Такие структуры могут применяться в двухзатворных транзисторах, энергонезависимой памяти и мобильной связи нового поколения. Ресурс памяти на диоксиде гафния потенциально может значительно превышать около 10 тыс. циклов записи у флэш-памяти, отметили в пресс-службе.
Источник: www.ferra.ru