Западные станки, без которых чипы нового поколения считались невозможными, Китаю не продают уже несколько лет. Похоже, там нашли способ обойтись без них — просто перестали строить чипы вширь.
Речь о компании Naura Technology Group — это крупнейший в Китае производитель оборудования для выпуска микросхем. Сама она чипы не делает, а поставляет станки тем, кто делает. В научном журнале IEEE компания опубликовала работу, в которой описывает двухшаговый процесс травления для памяти типа 3D DRAM — и утверждает, что для него не нужна та самая EUV-литография, поставки которой в страну перекрыты санкциями.
Схема слоев кремния и германия в DRAM
Чтобы понять, в чём смысл, нужно знать, зачем вообще нужен EUV. Литография в жёстком ультрафиолете позволяет рисовать на кремнии более тонкие дорожки и плотнее упаковывать элементы по горизонтали — именно так десятилетиями наращивали производительность. Китайским заводам эти машины недоступны, поэтому там пошли другим путём: если нельзя ужиматься вширь, надо расти вверх, укладывая элементы слоями. Той же логике следует и Huawei, которая ранее показала подход со складыванием логических блоков в стопку, чтобы получить плотность на уровне 1,4-нанометровых чипов вообще без EUV. Naura делает то же самое, только для памяти.
3D DRAM устроена как слоёный пирог: чередуются пласты кремния и кремний-германиевого сплава. Германиевые прослойки потом вытравливают химией, а в освободившихся зазорах прокладывают линии и затворы. Проблем здесь исторически три: химия заодно объедает соседний кремний, побочные продукты оседают на дне стопки, а до нижних слоёв реагент попросту не доходит. В итоге верхние зазоры получаются одними, нижние — другими, и вся конструкция идёт браком.
Naura заявляет, что решила все три. На первом шаге в стопку подаются электрически нейтральные фторные радикалы: они бьют только по германиевой прослойке, а на кремнии заодно образуется тончайшая защитная плёнка из фторида германия, которая и не даёт травлению уйти вбок. Второй шаг — продувка плазмой, вычищающая осадок со дна, чтобы нижние слои обрабатывались так же, как верхние.
Цифры компания приводит такие: избирательность выше 500 к 1, то есть германиевый сплав уходит более чем в пятьсот раз быстрее кремния, а потери самого кремния — меньше 10 ангстрем. Однородность конструкции заявлена выше 95% на 64 парах слоёв: если верхний зазор составляет 200 нанометров, нижний окажется не меньше 190. Проще говоря, стопку удалось протравить ровно сверху донизу, а это и есть основное препятствие на пути к 3D-памяти.
Важная оговорка: пока это научная публикация, а не работающая производственная линия. Между лабораторным результатом и серийным выпуском в полупроводниках лежит дистанция в годы, и заявленные показатели — это заявления самой компании, а не проверенные независимо данные. Но если технология доедет до завода, главным выгодоприобретателем станет CXMT — ведущий китайский производитель оперативной памяти, которому вертикальный путь сейчас нужен по той же самой причине.
Для обычного покупателя всё это не абстракция. DRAM — это те же модули оперативной памяти в компьютерах и видеокартах, и появление у Китая собственного производства памяти нового поколения способно заметно сдвинуть цены на рынке, который последние годы лихорадит.
Верите, что Китай сумеет догнать по чипам без западного оборудования, — или такие заявления пока остаются заявлениями?
НовостиЖелезо и технологииКитайизображения
Источник: vgtimes.ru