Южнокорейский производитель SK Hynix запустит массовый выпуск памяти HBM4E для ИИ-ускорителей в США в 2029 году. Дефицит этой памяти, по прогнозу компании, сохранится до конца 2030 года.
SK Hynix планирует запустить производство памяти HBM4E на заводе в американском штате Индиана в III квартале 2029 года, сообщает Bloomberg. По прогнозу компании, нехватка этой памяти на рынке продолжится как минимум до конца 2030 года.
High Bandwidth Memory (HBM) — это специализированная стековая память с очень высокой пропускной способностью, ставшая ключевым компонентом ИИ-ускорителей. В таких чипах память и вычислительный модуль объединяются в одном корпусе, что резко снижает задержки и ускоряет передачу данных. HBM4E представляет собой следующее поколение стандарта с еще более высокими характеристиками.
Завод расположится в исследовательском парке Purdue Research Park в Уэст-Лафайетте. Запуск чистых комнат — специализированных помещений для производства микрочипов — запланирован на вторую половину 2028 года. На объекте разместятся линия по передовой упаковке HBM-чипов и исследовательский центр в сфере ИИ-полупроводников. Суммарные инвестиции в проект превышают 4 млрд долларов, а проектная мощность составит сотни тысяч пластин в год. Реализация проекта создаст около 7000 прямых и косвенных рабочих мест.
Государство поддерживает проект финансово. В декабре 2024 года США окончательно одобрили выделение SK Hynix 458 млн долларов в виде субсидий по закону CHIPS Act, а также льготных займов на сумму до 500 млн долларов.
Источник: hi-tech.mail.ru