Генеральный директор Intel Лип-Бу Тан заявил, что компания рассматривает память как ключевой компонент будущей архитектуры процессоров, а не как внешний элемент. Для укрепления позиций в области передовой памяти Intel привлекла бывшего генерального директора SK hynix Сок-Хи Ли. По словам Тана, память всё больше определяет производительность систем, особенно в задачах ИИ, где данные активно перемещаются между процессорами и накопителями.
Одна из перспективных архитектур предполагает вертикальное размещение DRAM над процессором, что сокращает пути передачи данных и увеличивает ширину интерфейса. Однако это создаёт проблемы с охлаждением и выходом годных изделий. В патенте Intel также описывается технология XBM, которая позволяет обойтись без промежуточного кремниевого слоя, используемого в традиционной HBM, что может снизить стоимость.
Intel не планирует возвращаться в массовое производство DRAM, а сосредоточится на интеграции памяти и упаковке для своих будущих продуктов. Это позволит выделить процессоры Xeon, Core и ускорители на фоне конкурентов.
Источник: www.playground.ru