Samsung, похоже, удалось заметно ускорить производство памяти HBM4. Согласно отраслевым данным, показатель выхода годных чипов у компании приблизился к 80% — уровню, который в индустрии называют «золотым». Для Samsung это особенно важно на фоне попыток вернуть позиции на быстрорастущем рынке памяти для ИИ, где сейчас доминирует SK Hynix.
По данным Sedaily, в начале массового производства HBM4 в феврале показатель выхода годных изделий Samsung находился ниже 60%. Однако благодаря оптимизации производственного процесса компании удалось значительно улучшить результат и уже примерно за полгода приблизиться к отметке 80%. Изначально именно такого показателя Samsung рассчитывала достичь лишь к концу года.
HBM4 производится по 10-нм классу технологического процесса 1c для DRAM и использует 4-нм логический процесс. Память обеспечивает скорость до 13 Гбит/с на контакт и пропускную способность до 3,3 ТБ/с на стек. Samsung предлагает 12-слойные конфигурации объёмом 24–36 ГБ, а 16-слойные варианты способны достигать 48 ГБ. Также заявлены 2048 линий ввода-вывода, повышение энергоэффективности на 40% и улучшенные характеристики теплоотвода по сравнению с HBM3E.
Высокий выход годных чипов уже отразился на планах Samsung. Компания, как сообщается, втрое увеличила прогноз выручки от HBM4 в третьем квартале и рассчитывает нарастить долю HBM4 среди своих решений для рынка памяти более чем на 60% во второй половине 2026 года.
Следующим шагом станет HBM4E. По имеющимся данным, Samsung уже довела показатель выхода годных изделий на этапе испытаний надёжности примерно до 70%. Представленная ранее HBM4E рассчитана на объём до 48 ГБ на стек, скорость до 16 Гбит/с и пропускную способность до 4 ТБ/с.
Пока главным подтверждением прогресса Samsung становится сотрудничество с AMD: компания уже использует HBM4 производства Samsung в платформе Instinct MI400. В дальнейшем Samsung рассчитывает расширить присутствие и добиться поставок HBM4E для будущих решений NVIDIA, включая Rubin Ultra, а также для следующего поколения ускорителей AMD.
Источник: www.playground.ru