На выставке FMS 2026 Samsung показала сразу несколько новых разработок в области памяти и накопителей. В центре внимания была флеш-память BV-NAND V10, первая в мире память с более чем 400 слоями ячеек, упакованных с помощью специальной технологии, между прочим. По сравнению с предыдущей версией плотность хранения выросла на 58%.
Для ИИ Samsung предложила решение zHBM. Оно устанавливается прямо поверх ускорителей ИИ (а не рядом с ними, как обычно). Это сокращает путь данных, поэтому скорость работы выше в 8 раз, а плотность в 10 раз больше, чем у стандартной HBM5, при этом энергии тратится втрое меньше.
Ещё одна новинка — zNAND-O. Это флеш-память для устройств, работающих на «переднем крае» ИИ (смартфоны, умные камеры и т. д.).
Также компания показала LPDDR5X-PIM, первую оперативную память, которая умеет обрабатывать часть данных прямо внутри себя, не нагружая процессор.
Источник: www.ferra.ru