По сообщениям источников в полупроводниковой отрасли, Huawei в сотрудничестве с китайским производителем памяти SwaySure и при поддержке местных властей готовится к постройке собственного завода по выпуску микросхем DRAM в Шэньчжэне.
Официального подтверждения со стороны технологического гиганта пока нет, однако этот шаг полностью соответствует стратегии Китая по уменьшению зависимости от западных технологий и обходу санкционных ограничений США.
В основе проекта лежит фабрика для обработки 300-мм кремниевых пластин по 28-нанометровому техпроцессу с запланированной мощностью до 140 тысяч пластин в месяц. Главной целью для Huawei является обеспечение собственной оперативной памятью своих ИИ-ускорителей серии Ascend, которые из-за санкций лишены полноценного доступа к высокоскоростным чипам HBM от Samsung и SK Hynix. Несмотря на то, что разработка многослойной памяти высокой пропускной способности требует значительно более сложных технологий упаковки и высокого процента выхода годных кристаллов, Huawei уже представит собственные разработки под названием HiBL 1.0, рассчитанные на интеграцию с процессорами компании.
hardwareluxx.de
Павлик Александр
Источник: ru.gecid.com