Специалисты МФТИ разработали технологию производства транзисторов для чипов на основе дисульфида молибдена. Разработку можно использовать на существующих предприятиях микроэлектроники, что делает ее потенциальной альтернативой кремниевым решениям, пишут «Известия».
По словам научного сотрудника Центра фотоники и двумерных материалов МФТИ Ильи Завидовского, новый материал позволяет создавать транзисторы размером примерно 0,65 нанометра вместо ограничений кремния около 2 нанометров. Он отметил, что такие элементы могут быть более энергоэффективными, а снижение энергопотребления может достигать сотен раз.
Технология направлена на решение проблемы дальнейшего уменьшения кремниевых транзисторов, которое ограничивают физические и квантовые эффекты. Созданные на основе дисульфида молибдена чипы смогут работать с существующими вычислительными системами.
Источник: www.ferra.ru