Пропускная способность подсистемы памяти остается основным бутылочным горлышком для современных ускорителей искусственного интеллекта. Многие крупные игроки пытаются пересобрать архитектуру стека DRAM. Патентная заявка Intel, опубликованная 2 июля 2026 года, раскрывает планы компании по созданию нового типа высокопроизводительной памяти под названием XBM (Cross-Batch Memory).
Главная фишка разработки — отказ от дорогостоящих кремниевых интерпозеров в пользу нативного чиплетного интерфейса UCIe и перенос ячеек памяти в слои металлизации (BEOL).
Читать далее
Источник: habr.com