В пресс-службе Южного федерального университета (ЮФУ) сообщили, что ученые вуза представили технологию, позволяющую выращивать сверхтонкие полупроводниковые наноструктуры в заранее заданных точках кремниевой поверхности. По данным вуза, разработка может использоваться при создании фотонных чипов, оптических сенсоров и других устройств. Результаты исследования опубликованы в журнале «Journal of Alloys and Compounds», пишет ТАСС.
Метод основан на локальном облучении кремния ионами галлия по заданному рисунку. Ученые выяснили, что ростом наноструктур управляет количество попадающих в определенную область ионов галлия, а не энергия воздействия или длительность последующей термической обработки. Это позволяет подавлять или, наоборот, стимулировать формирование структур в нужных местах, отметили в пресс-службе.
Во время экспериментов специалисты получили не только геометрические фигуры, но также наноструктуры в виде логотипа и аббревиатуры ЮФУ. Следующим этапом станет создание прототипов источника и приемника оптического излучения и адаптация технологии для производства.
Источник: www.ferra.ru