Аналитическое агентство Counterpoint Research опубликовало свежий отчет о состоянии глобального рынка оперативной памяти DRAM и чипов высокой пропускной способности HBM за первый квартал 2026 года. Индустрия показала стремительный подъем на фоне бума инфраструктуры для дата-центров искусственного интеллекта. Мировая выручка в сегменте DRAM выросла на 80% по сравнению с прошлым кварталом и взлетела на 260% в годовом исчислении, достигнув исторического максимума. Важным фактором такого скачка стало повсеместное подорожание чипов памяти и увеличение поставок решений стандартов HBM3E и LPDDR5.
В секторе DRAM лидером стала компания Samsung, доля которой увеличилась до 38% рынка. На второй строчке расположилась SK hynix с показателем 29%, а третью позицию удерживает Micron с долей 22%. Примечательно развитие китайского производителя CXMT, который продемонстрировал годовой рост доходов более чем на 700% и закрепился на четвертом месте с долей 8%. Представители этой марки активно готовятся к выходу на биржу для привлечения капитала с целью расширения фабрик и последующего запуска собственного производства ИИ-памяти типа HBM.
В узкоспециализированном сегменте HBM расстановка сил выглядит иначе. Первую позицию сохраняет SK hynix, удерживающая 58% поставок, хотя этот показатель снизился по сравнению с 69% в начале прошлого года. Вторую и третью строчки делят между собой Micron и Samsung, имеющие по 21% рынка. Основная часть текущих доходов здесь приходится на модули HBM3E, тогда как массовые отгрузки перспективных решений HBM4 ожидаются во второй половине года. Общий объем рынка DRAM за первый квартал составил $97 млрд (примерно 7 107 млрд рублей).
Источник: mobile-review.com