Samsung преодолела барьер 10 нм в производстве DRAM, представив новую структуру 4F‑ cell, которая увеличивает плотность ячеек на 30–50% и открывает путь к массовому выпуску суб‑ 10 нм памяти уже в 2028 году. Это первый в мире рабочий кристалл DRAM на уровне 9,5–9,7 нм.
Samsung применила комбинацию новой квадратной структуры 4F и процесса Vertical Channel Transistor (VCT), что позволило перейти от традиционной 6F‑ архитектуры к более компактной. Такой подход не только повышает плотность, но и снижает энергопотребление. Для удержания данных в сверхузких ячейках компания использовала материал IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), который лучше сохраняет заряд по сравнению с кремнием.
Разработка 10a DRAM должна быть завершена в этом году, а серийное производство намечено на 2028‑ й. Следующие поколения — 10b и 10c — получат дальнейшие улучшения, а 10d станет первым шагом к 3D DRAM в 2029–2030 годах.
Конкуренты, такие как Micron, пока откладывают внедрение 4F‑ структуры, делая ставку на 3D DRAM. Китайские производители сталкиваются с трудностями из‑ за отсутствия доступа к передовым литографическим технологиям, хотя схожесть с 3D NAND даёт им определённую надежду.
С учётом стремительного роста спроса со стороны сегмента ШИ, новая технология Samsung может стать ключевым фактором в обеспечении рынка более ёмкими и энергоэффективными модулями памяти.
wccftech.com
Павлик Александр
Источник: ru.gecid.com