Компания Micron планирует впервые вертикально объединять GDDR-модули, используемые в игровых видеокартах, чтобы создать решение с повышенной ёмкостью, аналогичное HBM. Это решение нацелено на потребности современных ИИ-нагрузок и может ещё сильнее усилить дефицит памяти для геймеров.
По данным ETNews, первые прототипы с примерно четырьмя слоями объединённых GDDR-модулей могут появиться уже в следующем году. Такая архитектура позволит увеличить общий объём памяти на модуль, хотя производительность всё равно будет уступать традиционным HBM-решениям. Тем не менее, новая технология обещает стать полезным инструментом для задач инференса в ИИ.
Ранее сегмент GDDR не испытывал такого сильного давления со стороны ИИ, как LPDDR или DDR, так как использовался преимущественно в игровых видеокартах. Теперь Micron планирует использовать свободные мощности для корпоративного рынка, а не для снижения дефицита видеокарт для геймеров.
Компания уже экспериментировала с вертикальным объединением LPDDR5X до 16-Hi, достигая 256 ГБ на модуль, однако GDDR-модули предъявляют более строгие требования к теплоотводу и целостности сигнала. Micron может компенсировать это снижением тактовых частот, но в любом случае разработка демонстрирует стремление к инновациям на рынке памяти.
Если технология окажется экономически выгодной по сравнению с HBM, объединённые GDDR-модули могут стать новым направлением в индустрии и изменить баланс между памятью для ИИ и игровыми видеокартами.
Источник: www.playground.ru