Южнокорейские компании Samsung Electronics и SK Hynix нарастили инвестиции в китайские предприятия по производству микросхем на фоне роста спроса на память для систем искусственного интеллекта (ИИ). Речь идет о действующих заводах, модернизация которых позволяет быстрее увеличить выпуск без строительства новых площадок сроком от 3 до 5 лет.
Samsung вложила 465,4 млрд вон, (308,8 млн долларов,) в предприятие в Сиане в 2025 году. Это на 67,5 процента больше, чем годом ранее. Завод обеспечивает около 40 процентов производства NAND-памяти компании.
SK Hynix инвестировала 581,1 млрд вон, (386 млн долларов) в завод в Уси, что на 102 процента больше. Еще 440,6 млрд вон (292 млн долларов) направлены в предприятие в Даляне, рост составил 52 процента. Завод в Уси производит более 30 процентов DRAM, а площадка в Даляне специализируется на NAND.
Источник: www.ferra.ru