Российские и немецкие ученые раскрыли механизм аномального магнитосопротивления в слоистых кристаллах. Разработанная методика позволяет прогнозировать свойства материалов для электроники будущего.
Ученые из России и Германии разработали новую методику, позволяющую прогнозировать изменения электрического сопротивления материалов в магнитном поле. Это открытие дает возможность глубже понять поведение магнитных кристаллов и проектировать электронные компоненты с заранее заданными характеристиками, говорится на сайте Десятилетия науки и технологий в России.
В большинстве металлов магнитное поле увеличивает сопротивление, так как сила Лоренца затрудняет движение электронов. Однако в некоторых слоистых магнитных материалах наблюдается обратный эффект: при включении магнитного поля сопротивление уменьшается, причем это магнитосопротивление не зависит от направления тока и поля. Долгое время этот феномен оставался необъясненным.
Ученые из НИТУ МИСИС вместе с отечественными и зарубежными коллегами выяснили, что разгадка кроется во внутреннем строении кристаллов. В таких материалах соседние атомы ведут себя как магниты, направленные в разные стороны. Это приводит к неравномерному распределению электронов между слоями кристалла и их сильному рассеянию на дефектах, что увеличивает сопротивление. При воздействии магнитного поля магнитный порядок ослабевает, электроны распределяются более равномерно, рассеяние уменьшается — и сопротивление падает.
Источник: hi-tech.mail.ru