Российские ученые разработали прототип лазерно-плазменного источника рентгеновской литографии для микроэлектроники с эффективной конверсией энергии и минимальным износом рабочих компонентов.
В Институте физики микроструктур Российской академии наук — филиале ИПФ имени Гапонова-Грехова — создан и испытан опытный стенд лазерно-плазменного источника излучения для рентгеновской литографии на длине волны 11,2 нм. Этот стенд является прототипом рентгеновского источника нового поколения, который в перспективе может стать ключевым элементом отечественной литографической системы для микроэлектроники. В работе принимали участие сотрудники Передовой инженерной школы «Космическая связь, радиолокация и навигация» Нижегородского государственного университета имени Лобачевского.
Экспериментальная установка включает основные компоненты будущего рентгеновского литографа: сверхзвуковое сопло c подачей ксенона, мощный твердотельный лазер с системой фокусировки, а также коллектор рентгеновского излучения. Для исследования параметров источника использованы современные диагностические инструменты: зеркальный брэговский спектрометр, высокоразрешающий спектрограф и квантометр.
Результаты исследований были опубликованы в авторитетных научных изданиях — отечественном «Журнале технической физики» Физико-технического института имени Иоффе РАН и зарубежном рецензируемом журнале Physical Review Applied.
Результаты и перспективы
Теоретическое обоснование концепции источника с ксеноновой мишенью разработали специалисты отдела физики плазмы и электроники больших мощностей ИПФ РАН. На стенде удалось получить излучающую область размером 150 × 400 µм, а коэффициент конверсии энергии лазерного излучения в рентгеновское достиг 3%, что считается достаточным для применения в промышленной литографии.
Источник: hi-tech.mail.ru