Разработка открывает перспективы для создания сверхбыстрой молекулярной электроники и устройств спинтроники — технологии, которая использует не только заряд, но и спин электронов.
Специалисты Дальневосточного федерального университета и Института автоматики и процессов управления ДВО РАН создали новый гибридный наноматериал с уникальными электронными свойствами. Инновационный материал позволит разрабатывать устройства для молекулярной электроники и спинтроники — областей, которые обещают стать фундаментом будущих технологий хранения и обработки информации.
В основе работы лежит сочетание двух уникальных компонентов — топологического изолятора и фуллерена. Тонкая атомная пленка селенида висмута, материала, который относится к классу топологических изоляторов, ведет себя необычно: она не проводит электрический ток внутри себя, но свободно пропускает его по своей поверхности благодаря особым квантовым состояниям электронов. На этой поверхности физики разместили один слой сферических молекул углерода — фуллеренов C₆₀, которые формируют плотную структуру, сохраняя собственные характеристики. Такое соединение позволило создать устойчивую систему с принципиально новыми свойствами.
Главное достижение проекта — возможность управлять электронной структурой материала. Это достигается с помощью интеркаляции — введения атомов калия между молекулами фуллеренов, что позволяет тонко настраивать проводимость и другие электрические параметры материала. Такая способность особенно важна при разработке миниатюрных электронных компонентов, где требуется точное регулирование свойств.
Источник: hi-tech.mail.ru