Похоже, Intel наконец начинает приходить в себя и, как и ранее, развивать деятельность во всех направлениях it — индустрии. Новый сегмент интересов корпорации — разработка памяти на смену современным ОЗУ, ставших «узким горлышком» всех современных компьютерных систем.
Накануне представители Intel подписали соглашение с представителями японской научно — производственной компании SAIMEMORY, являющейся дочерним подразделением SoftBank о разработке и производстве оперативной памяти перспективного стандарта Z-Angle Memory или ZAM, которая должна стать революционной и иметь пропускную способность в 2-3 раза выше, чем у самых современных решений направления HBM. Оказывается само партнёрство на уровне предварительных контактов, в рамках профильной инициативы Министерства энергетики США Advanced Memory Technology (AMT) было запущено ещё в июне 2025 года, но лишь сейчас переросло в юридически крепкий профиль.
По словам представителей Intel, перспективная Z-Angle Memory не только обеспечит в двое — трое более высокую пропускную способность, но также увеличит ёмкость чипа в 2-3 раза(а вот это интересно, как можно обойти законы физики?)) и сниженное энергопотребление на 60%. Для достижения столь впечатляющих параметров специалисты компаний разработали новый способ вертикального размещения слоёв DRAM, которые в свою очередь состыкованы с помощью принципиально нового подхода Intel Embedded Multi-Die Interconnect Bridge (EMIB), снижающего задержки сигналов между слоями и повышающего общую пропускную способность памяти.
Важнейшим моментом анонса события стала его не отдалённость. Intel пообещала уже в 2027 году разослать потенциальным клиентам первые тестовые партии ZAM и начать массовое производство чипов не позднее 2029 года.
Вам может быть интересно: Sony задержит выход консоли PlayStation 6 из-за высоких продаж PS5 и ситуации на рынке
The post Intel и SoftBank подписали соглашение о разработке и выпуске памяти — конкурента HBM appeared first on AMD news.
Источник: amd.news