После успешного внедрения технологии 3D V-Cache, позволившей значительно увеличить объем кэша L3, AMD приступила к исследованию способов вертикального стекирования кэша L2.
Согласно патентным данным и отчетам инженеров, она рассматривает возможность размещения дополнительных слоев памяти непосредственно над ядрами процессора или рядом с ними для уменьшения задержек и повышения пропускной способности. Традиционно кэш L2 интегрирован непосредственно в каждое ядро, однако переход к объемной компоновке позволит значительно увеличить его емкость без радикального увеличения площади самого кристалла.
Она стремится реализовать эту технологию в будущих архитектурах, чтобы удовлетворить растущие потребности современных вычислений, особенно в игровых сценариях и задачах, где активно задействован ШІ. Увеличение кэша L2 поможет разгрузить шину памяти и ускорить обмен данными между ядрами, что критически важно для новых поколений процессоров.
Ожидается, что подобные инновации позволят AMD сохранить технологическое преимущество в сегменте высокопроизводительных решений.
wccftech.com
Павлик Александр
Источник: ru.gecid.com