Компания Huawei оснастила свои новые флагманские смартфоны линейки Mate 80 мобильным процессором HiSilicon Kirin 9030, изготовленным по самому передовому на сегодня в Китае техпроцессу N+3 от компании SMIC. Как выяснили аналитики из TechInsights, это масштабированное расширение предыдущего 7-нанометрового процесса N+2, однако в абсолютных показателях N+3 существенно уступает 5-нанометровым нормам мировых лидеров TSMC и Samsung. Несмотря на использование оборудования, приобретённого до введения ограничений, SMIC удалось повысить плотность чипа, но не за счёт уменьшения самих транзисторов, а благодаря сложной оптимизации проектирования (DTCO) и агрессивному уменьшению шага металлизации с применением многократной DUV-литографии.
Аналитики указывают, что такой подход одновременно создаёт значительные риски для выхода годных кристаллов. Каждый дополнительный шаг литографии повышает вероятность дефектов из-за неизбежного неточного совмещения слоёв. Таким образом, N+3 является важным, но эволюционным достижением китайской индустрии, относящимся к 7/6-нанометровому классу, а не к 5 нм и демонстрирует приближение к физическим пределам масштабирования без применения EUV-литографии. Новые чипы Kirin, имея 12 и 14 ядер, превосходят по этому параметру старый Kirin 9000, что говорит об успешной работе Huawei в целом по данному направлению.
Источник: mobile-review.com