На Корейском технологическом фестивале 2025 года в Сеуле память Samsung GDDR7 получила Медаль Президента Республики Корея в знак признания инноваций.
Samsung разрабатывает этот чип памяти следующего поколения на 12-нм узле DRAM, достигая скорости 40 Гбит/с при емкости 3 ГБ (24 Гбит/с). Ранее Samsung представила образцы GDDR7 со скоростью 36 Гбит/с.
Подтверждение массового производства 3-гигабайтных модулей является важным, поскольку такая емкость является редкостью. Samsung также производит 3-гигабайтные модули с пропускной способностью 28 Гбит/с, которые уже находятся в массовом производстве, вероятно, для будущего обновления NVIDIA SUPER в середине цикла.
Пока Samsung тестирует 40 Гбит/с модули, конкуренция обостряется. SK Hynix готовится представить свой 24-гигабитный чип GDDR7, рассчитанный на пропускную способность 48 Гбит/с, что значительно превышает ожидаемые ранее показатели. Такое быстрое развитие GDDR7 свидетельствует о том, что производители памяти стараются успевать за высоким спросом отрасли на увеличение пропускной способности.
Павлик Александр
Источник: ru.gecid.com