Samsung Electronics совершила технологический прорыв в области энергоэффективной NAND-флеш-памяти, разработав новую архитектуру, которая снижает потребление энергии на 96% по сравнению с традиционными решениями, сообщает корейское издание Sedaily. Разработка особенно значима для мобильных устройств и в первую очередь для смартфонов, где рост ёмкости памяти и сложность операций с данными ведут к увеличению энергозатрат. Основой инновации стал ферроэлектрический транзистор, описанный в научной статье «Ferroelectric Transistor for Low-Power NAND Flash Memory», опубликованной в журнале Nature. Работа выполнена коллективом из 34 исследователей.
Изначально оксидные полупроводники считались непригодными для высокопроизводительных микросхем из-за высокого порогового напряжения, однако именно эта особенность позволила эффективно блокировать ток ниже порога и тем самым минимизировать его утечку. В существующих NAND-чипах ячейки данных соединены последовательно в так называемую цепочку (cell string), что приводит к тому, что с ростом числа слоёв и ёмкости энергопотребление при чтении и записи неизбежно возрастает. Новая технология решает эту проблему на конструктивном уровне, без изменения функциональности или логики работы памяти. Хотя Samsung не уточняет, когда технология начнёт применяться в массовом производстве, её внедрение может кардинально повысить энергоэффективность мобильных устройств, включая будущие поколения UFS-накопителей.
Источник: mobile-review.com