Китайская CXMT (Changxin Memory Technologies) продемонстрировала свои первые модули памяти DDR5-8000 и LPDDR5X-10667 на Китайской международной выставке полупроводников 2025 года. Эта продукция соответствует предложениям мировых производителей памяти.
Память DDR5 от CXMT работает со скоростью 8000 МТ/с, в то время как память LPDDR5X достигает 10 667 МТ/с.
Эти модули памяти доступны в емкостях LPDDR5X 12 Гбит/с и 16 Гбит/с. Модули DDR5 масштабируются до форматов 16 Гбит/с и 24 Гбит/с. Позже они упаковываются в различные форм-факторы для корпоративных серверов (RDIMM, MRDIMM, TFF MRDIMM), настольных компьютеров (UDIMM), ноутбуков (SODIMM) и высококачественных разгонных устройств (CUDIMM и CSODIMM).
В январе 2025 года были идентифицированы новые 16-нм микросхемы DRAM от CXMT в модулях Gloway DDR-6000 UDIMM. Эти 16-гигабитные микросхемы DDR5 имеют площадь 67 квадратных миллиметров и плотность 0,239 Гбит/с на квадратный миллиметр. Ячейки DRAM G4 на 20 процентов меньше, чем у предыдущего поколения G3 от CXMT. Эта разработка является результатом перехода компании от 23-нм (G1) к 18-нм (G2) узлам. Однако, несмотря на этот прогресс, CXMT по-прежнему примерно на три года отстает от Samsung, SK Hynix и Micron в производственных возможностях, поэтому не ожидайте, что глобальный дефицит DRAM будет решен в ближайшее время.
Павлик Александр
Источник: ru.gecid.com