Samsung готовит значительные изменения в своей производственной стратегии памяти. Это решение обусловлено постоянным ростом спроса на DRAM, который стимулируется развитием глобальной инфраструктуры искусственного интеллекта.
Согласно корейским отраслевым отчетам, компания планирует перевести часть своих линий флеш-памяти NAND в Пхёнтхэке и Хвасоне на производство DRAM. Кроме того, ее будущая фабрика Pyeongtaek Fab 4 (P4) будет запущена как линия, исключительно ориентированная на DRAM, используя новейший процесс 1c от Samsung.
Источники в отрасли отмечают, что Samsung стала осторожна в отношении рынка NAND, в то время как спрос на стандартную DRAM резко возрос. Цены быстро растут; некоторые серверные клиенты предлагают на 70% более высокие цены за модули DDR5 объемом 96 ГБ и 128 ГБ, но все еще испытывают дефицит поставок. Крупные технологические компании ожидают, что дефицит продлится годами, и уже ведут переговоры о распределении DRAM на 2027 год.
В настоящее время Samsung производит как DRAM, так и NAND на заводах Pyeongtaek Fab 1, Pyeongtaek Fab 3 и в своем кампусе Хвасон. Гибридные линии на заводах P1 и Хвасон будут больше ориентированы на DRAM, поскольку оборудование NAND будет постепенно выводиться из эксплуатации. Fab 4, которая сейчас находится на завершающей стадии строительства, в следующем году стартует как специализированная линия 1c DRAM. Samsung также рассматривает возможность использования второй зоны P4, первоначально запланированной для литейного производства, также для DRAM. После внесения изменений ожидается, что производство DRAM на заводах P1 и Fab 4 значительно возрастет уже в первой половине следующего года. Сокращение производства NAND в Корее будет компенсировано увеличением производства на заводе Samsung в Сиане, Китай.
Павлик Александр
Источник: ru.gecid.com