SK hynix расширяет свою линейку DDR5, готовя несколько новых чипов, рассчитанных на скорость 7200 МТ/с (мегатранзакций в секунду), что превышает текущий стандарт JEDEC 6400 МТ/с.
Данные, обнаруженные на китайском ритейлере JD.com, свидетельствуют, что SK hynix подготовила четыре новых кристалла (die), все со скоростью 7200 МТ/с (обозначается суффиксом «KB»), с плотностью от 2 ГБ до 4 ГБ. Среди этих новых разработок — первый 2-гигабайтный B-кристалл компании и 4-гигабайтный M-кристалл. Это первый случай, когда технологический узел M-кристалла был предложен с такой емкостью.
Ранее уже сообщалось о втором поколении чипов памяти SK hynix DDR5 с 3-гигабайтными микросхемами A-кристаллов, образцы которых использовали 8-слойную печатную плату. Чтобы в полной мере использовать потенциал новых высокоскоростных кристаллов, особенно при разгоне, ожидается, что производители модулей памяти перейдут на 10- или 12-слойные печатные платы для лучшей целостности сигнала. Списки новых чипов, включая A-die (3 Гб), B-die (2 Гбит), C-die (2 Гбит) и M-die (4 Гбит), вероятно, являются ранними образцами.
Хоть SK hynix еще не сделала официального анонса, наличие этих списков свидетельствует о том, что разработка идет полным ходом.
Павлик Александр
Источник: ru.gecid.com