Инженеры Стэнфордского университета представили новый способ борьбы с перегревом микрочипов — с помощью тонкого слоя алмазов, выращенных прямо на транзисторах.
Как сообщает журнал IEEE Spectrum, такая технология позволила снизить рабочую температуру полупроводников до 70 °C в реальных испытаниях и на 90% — в симуляциях.
Проблема перегрева становится всё острее: современные процессоры содержат десятки и сотни миллиардов транзисторов, а традиционные радиаторы не способны эффективно отводить тепло из глубины кристалла.
Решение стэнфордских исследователей под руководством Срабанти Чоудхури — выращивать поли-кристаллический алмазный слой непосредственно вокруг транзисторов при температуре всего 400 °C.
Ранее создание алмазных покрытий требовало более 1000 °C, что разрушало микросхемы. Новый метод использует кислород для удаления углеродных примесей, позволяя формировать крупные кристаллы с высокой теплопроводностью — примерно в шесть раз выше, чем у меди.
Эта технология уже заинтересовала DARPA, TSMC и Samsung, которые рассматривают возможность её интеграции в будущие полупроводниковые процессы.
Учёные полагают, что «алмазное охлаждение» может стать ключевым решением для чипов следующего поколения, особенно при переходе к 3D-архитектурам и нормам ниже 1 нм.
Источник: www.ferra.ru