Компания SK hynix объявила о том, что она первой среди участников отрасли завершила разработку памяти с высокой пропускной способностью HBM4 для ИИ-систем. В настоящее время готовится организация массового производства таких изделий. HBM4 — это шестое поколение памяти данного типа после оригинальных решений HBM, а также HBM2, HBM2E, HBM3 и HBM3E. Ожидается, что чипы HBM4 будут применяться в продуктах следующего поколения AMD, Broadcom, NVIDIA и др.
Стеки памяти HBM4 от SK hynix оснащены 2048-бит IO-интерфейсом: таким образом, разрядность интерфейса HBM удвоилась впервые с 2015 года. Заявленная скорость передачи данных превышает 10 Гбит/с, что на 25 % превосходит значение в 8 Гбит/с, определённое официальным стандартом JEDEC. Пропускная способность HBM4 увеличилась вдвое по сравнению с предыдущим поколением НВМ, тогда как энергоэффективность повысилась на 40 %.
Источник изображения: SK hynix
При изготовлении чипов HBM4 компания SK hynix будет применять 10-нм технологию пятого поколения (1bnm) и методику Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF). Последняя представляет собой способ объединения нескольких чипов памяти на одной подложке посредством спайки: сразу после этого пространство между слоями DRAM, базовым кристаллом и подложкой заполняется формовочным материалом для фиксации и защиты структуры. Технология Advanced MR-MUF позволяет выдерживать высоту HBM-стеков в пределах спецификации и улучшать теплоотвод энергоёмких модулей памяти.
SK hynix не раскрывает ни количество слоёв DRAM в своих изделиях HBM4, ни их ёмкость. Как отмечает ресурс Tom’s Hardware, по всей видимости, речь идёт об 12-Hi объёмом 36 Гбайт, которые будут использоваться в ускорителях NVIDIA Rubin. По заявлениям SK hynix, внедрение HBM4 позволит увеличить производительность ИИ-ускорителей на 69 % по сравнению с нынешними решениями. Это поможет устранить узкие места в обработке информации в ИИ ЦОД.
Источник: servernews.ru