На Международную космическую станцию (МКС) доставлена первая российская установка для выращивания полупроводниковых материалов. Оборудование разработано специалистами Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) по заказу РКК «Энергия» в рамках проекта «Экран-М».
Установка использует метод молекулярно-лучевой эпитаксии, который требует сверхвысокого вакуума для создания атомарно-тонких слоев материала. На Земле подобное оборудование отличается большими габаритами и высокой стоимостью. Космический вакуум позволяет значительно упростить процесс и использовать единую камеру для всех элементов.
Эксперимент направлен на изучение эффективности роста полупроводниковых слоев в условиях орбиты. Ученые проанализируют свойства полученных материалов и отработают технологические процессы. Это первый в мире проект по проведению молекулярно-лучевой эпитаксии в космосе.
Оборудование было специально разработано с учетом космических ограничений: малого веса, радиационной стойкости и особенностей поведения материалов в невесомости.
Источник: www.ferra.ru