SK hynix объявила о завершении разработки своего 321-слойного продукта флеш-памяти QLC NAND емкостью 2 ТБ и начале его массового производства.
Это достижение знаменует собой первое в мире внедрение более 300 слоев с использованием технологии QLC, устанавливая новый стандарт плотности NAND. После завершения глобальной проверки клиентами, компания планирует выпустить продукт в первой половине следующего года.
Для повышения конкурентоспособности своего нового продукта, SK hynix разработала его с удвоенной емкостью, увеличив количество независимых операционных блоков в чипе, или плоскостей, с 4 до 6. Это позволило добиться большей параллельной обработки и значительно повысить производительность одновременного считывания. В результате, 321-слойная QLC NAND обеспечивает более высокую емкость и улучшенную производительность: скорость передачи данных удвоилась, производительность записи возросла до 56%, а чтения — на 18%. Кроме того, энергоэффективность записи улучшилась более чем на 23%, что является критически важным для центров обработки данных с искусственным интеллектом.
Компания планирует применять свою 321-слойную NAND сначала в SSD-накопителях для ПК, а затем расширить ее до корпоративных SSD (eSSD) для центров обработки данных и UFS для смартфонов. Используя собственную технологию 32DP3, которая позволяет одновременное размещение 32 кристаллов NAND в одном корпусе, SK hynix стремится выйти на рынок сверхъемких eSSD для серверов с искусственным интеллектом.
«Мы сделаем значительный шаг вперед как поставщик полноценной памяти на базе искусственного интеллекта, в соответствии со взрывным ростом спроса на искусственный интеллект и требованиями к высокой производительности на рынке центров обработки данных», — заявил Чон Вупё, руководитель отдела разработки NAND в SK hynix.
Павлик Александр
Источник: ru.gecid.com