Компания Samsung Electronics объявила о возобновлении своей технологии высокопроизводительных накопителей Z-NAND после почти семилетнего перерыва. Новое поколение нацелено на рынок систем искусственного интеллекта и обещает значительный прирост скорости по сравнению с традиционными твердотельными накопителями.
Согласно заявлениям представителей компании, обновленная технология Z-NAND может обеспечить до 15 раз более высокую производительность, чем современные NVMe SSD. Наряду с этим ожидается существенное снижение энергопотребления, которое может быть до 80% ниже по сравнению с обычной флеш-памятью NAND. Эти усовершенствования ориентированы в первую очередь на центры обработки данных и задачи, связанные с машинным обучением.
Ключевым нововведением станет поддержка технологии GPU-Initiated Direct Storage Access или GIDS. Этот механизм позволит графическим процессорам напрямую обращаться к данным на Z-NAND накопителе, обходя при этом центральный процессор и оперативную память. Такой подход призван кардинально снизить задержки при доступе к данным, что является критически важным для требовательных ИИ-приложений. В основе технологии лежит использование усовершенствованной памяти SLC V-NAND с уменьшенным размером страниц до 2–4 КБ, что ускоряет обработку небольших блоков данных.
Изначально технология Z-NAND была представлена как ответ на Intel 3D XPoint, более известную под брендом Optane. Оба решения позиционировались как новый класс памяти, занимающий промежуточное положение по скорости между DRAM и стандартными NAND SSD. Однако со временем Intel прекратила развитие линейки Optane. Теперь Samsung видит новую возможность для своей разработки на фоне бурного роста рынка искусственного интеллекта.
Источник: www.playground.ru