Kioxia объявила о начале пробных поставок образцов флеш-памяти BiCS FLASH 3D 9-го поколения с технологией Triple-Level Cell (TLC) ёмкостью 512 Гбит/с. Массовое производство этих устройств планируется начать в 2025 финансовом году.
Новые чипы разработаны для приложений, требующих высокой производительности и исключительной энергоэффективности, и будут интегрированы в корпоративные SSD-накопители Kioxia, в частности те, что предназначены для систем искусственного интеллекта.
Стратегия развития и ключевые улучшения
Kioxia придерживается двухосной стратегии для удовлетворения разнообразных потребностей рынка:
Новая TLC-память BiCS FLASH 9-го поколения на 512 Гбит/с, разработанная с использованием 120-слойного процесса стекирования на основе технологии BiCS FLASH 5-го поколения, демонстрирует значительные улучшения по сравнению с существующими продуктами Kioxia BiCS FLASH такой же ёмкости:
Линейка продуктов BiCS FLASH 9-го поколения будет определена в соответствии с требованиями рынка.
Павлик Олександр
Источник: ru.gecid.com