ГК «Элемент» инвестирует 4,4 млрд рублей в полное производство GaN-транзисторов в России

Группа компаний «Элемент» вложит 4,4 млрд рублей в производство силовых транзисторов на нитриде галлия (GaN). Производство откроется на базе НИИ электронной техники (НИИЭТ) в Воронеже. Представитель компании сообщил, что проект дополнит текущие мощности НИИЭТ по сборке СВЧ и силовых GaN-транзисторов. Будет создано первое в России полное производство таких транзисторов, включая кристальное направление.

Нитрид галлия — это современный полупроводниковый материал. Он даёт возможность создавать транзисторы, которые работают при высоких температурах и частотах. Они имеют высокую плотность мощности и энергоэффективность. Такие транзисторы применяются в блоках питания, в том числе серверных, и в СВЧ-оборудовании. Например, в усилителях радиосигнала для телекоммуникационной техники.

Производство будет выпускать 5,5 тысяч пластин в год в 200-миллиметровом эквиваленте. Проект получит льготное финансирование по механизму кластерной инвестиционной платформы. Оператор программы — Фонд развития промышленности. Выбор площадки в Воронеже связан с тем, что НИИЭТ уже выпускает серийную продукцию на нитриде галлия.

В июле 2025 года АО «Корпорация роботов», входящее в состав группу компаний (ГК) «Элемент», приобрело 51% акций АО «НПО „Андроидная техника“». Это первая сделка по направлению развития робототехники внутри холдинга «Элемент». Об этом сообщил представитель компании.

Оставшиеся 49% акций останутся у менеджмента «Андроидной техники». Имена владельцев не раскрываются. Исполнительный директор НПО Евгений Дудоров войдёт в руководство Корпорации роботов. Он будет отвечать за научно‑технологическое и производственное развитие.

Источник: habr.com

0 0 голоса
Рейтинг новости
1
0
Подписаться
Уведомить о
0 комментариев
Межтекстовые Отзывы
Посмотреть все комментарии